Tulosta sivu
FZ600R12KE3HOSA1
IGBT Module, Single Switch, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFZ600R12KE3HOSA1
Tilauskoodi2726202
TuotevalikoimaStandard 62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFZ600R12KE3, SP000100724
Tekninen tuotetietolomake
497 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 147,000 € |
| 5+ | 139,980 € |
| 10+ | 132,960 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
147,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFZ600R12KE3HOSA1
Tilauskoodi2726202
TuotevalikoimaStandard 62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFZ600R12KE3, SP000100724
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationSingle Switch
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current900A
Continuous Collector Current900A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd2.8kW
Power Dissipation2.8kW
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Low switching losses
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- Low VCEsat
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
2.8kW
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
2.8kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):1.2