Tulosta sivu
FS100R12KT4GBOSA1
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFS100R12KT4GBOSA1
Tilauskoodi2726175
TuotevalikoimaEconoPACK 3
Vaihtoehtoinen nimiFS100R12KT4G, SP000379671
Tekninen tuotetietolomake
10 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 100,400 € |
| 5+ | 92,110 € |
| 10+ | 83,820 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
100,40 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFS100R12KT4GBOSA1
Tilauskoodi2726175
TuotevalikoimaEconoPACK 3
Vaihtoehtoinen nimiFS100R12KT4G, SP000379671
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd515W
Power Dissipation515W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPACK 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
515W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoPACK 3
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
515W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.391178
Tuotteen jäljitettävyys