Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFP35R12W2T4PB11BPSA1
Tilauskoodi2986378
TuotevalikoimaEasyPIM 2B
Vaihtoehtoinen nimiFP35R12W2T4P_B11, SP001326042
Tekninen tuotetietolomake
17 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 53,080 € |
| 5+ | 50,800 € |
| 10+ | 48,510 € |
| 50+ | 42,090 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
53,08 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFP35R12W2T4PB11BPSA1
Tilauskoodi2986378
TuotevalikoimaEasyPIM 2B
Vaihtoehtoinen nimiFP35R12W2T4P_B11, SP001326042
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolaritySix N Channel
Continuous Collector Current35A
DC Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPIM 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
PIM Three Phase Input Rectifier
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EasyPIM 2B
Transistor Polarity
Six N Channel
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00036
Tuotteen jäljitettävyys