Tulosta sivu
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 7500 µohm, Module
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF8MR12W2M1B11BOMA1
Tilauskoodi3267809
TuotevalikoimaEasyDUAL
Vaihtoehtoinen nimiFF8MR12W2M1_B11, SP001617622
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tuotteen yleiskatsaus
Sovellukset
Medical
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.01
Tuotteen jäljitettävyys