Tulosta sivu
FF650R17IE4DB2BOSA1
IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF650R17IE4DB2BOSA1
Tilauskoodi1833598
TuotevalikoimaPrimePACK 2 Series
Vaihtoehtoinen nimiFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 16 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 449,670 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
449,67 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF650R17IE4DB2BOSA1
Tilauskoodi1833598
TuotevalikoimaPrimePACK 2 Series
Vaihtoehtoinen nimiFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current650A
Continuous Collector Current930A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation Pd4.15kW
Power Dissipation4.15kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins10Pins
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
FF650R17IE4DB2BOSA1 is a Prime PACK™2 module and NTC. Applications include 3-level-applications, auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, wind turbines.
- Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
- High current density, low switching losses
- Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
- High creepage and clearance distances
- High power and thermal cycling capability
- High power density, copper base plate
- 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
- 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24,0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
- Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
4.15kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
930A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
4.15kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
10Pins
IGBT Technology
IGBT 4
Product Range
PrimePACK 2 Series
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.825
Tuotteen jäljitettävyys