Tulosta sivu
FF600R07ME4BPSA1
IGBT Module, Dual, 600 A, 1.55 V, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF600R07ME4BPSA1
Tilauskoodi3407520
TuotevalikoimaEconoDUAL 3
Vaihtoehtoinen nimiFF600R07ME4, SP000840484
Tekninen tuotetietolomake
2 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 130,610 € |
| 5+ | 122,580 € |
| 10+ | 114,540 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
130,61 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF600R07ME4BPSA1
Tilauskoodi3407520
TuotevalikoimaEconoDUAL 3
Vaihtoehtoinen nimiFF600R07ME4, SP000840484
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.55V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoDUAL 3
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.410501
Tuotteen jäljitettävyys