Tulosta sivu
FF450R12KE4EHOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF450R12KE4EHOSA1
Tilauskoodi2781230
TuotevalikoimaStandard 62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFF450R12KE4_E, SP001186148
Tekninen tuotetietolomake
5 Varastossa
10 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 131,210 € |
| 5+ | 123,190 € |
| 10+ | 115,160 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
131,21 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF450R12KE4EHOSA1
Tilauskoodi2781230
TuotevalikoimaStandard 62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFF450R12KE4_E, SP001186148
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.015
Tuotteen jäljitettävyys