Tulosta sivu
FF450R08A03P2XKSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF450R08A03P2XKSA1
Tilauskoodi3625331
TuotevalikoimaHybridPACK
Vaihtoehtoinen nimiFF450R08A03P2, SP001630036
Tekninen tuotetietolomake
5 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 123,420 € |
| 5+ | 120,950 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
123,42 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF450R08A03P2XKSA1
Tilauskoodi3625331
TuotevalikoimaHybridPACK
Vaihtoehtoinen nimiFF450R08A03P2, SP001630036
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current450A
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2V
Power Dissipation1.667kW
Power Dissipation Pd1.667kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT Termination-
Collector Emitter Voltage Max750V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeHybridPACK
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2V
Power Dissipation Pd
1.667kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
750V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2V
Power Dissipation
1.667kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
750V
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
HybridPACK
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.410501