Tulosta sivu
FF400R12KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module
11 Varastossa
120 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 163,080 € |
| 5+ | 155,900 € |
| 10+ | 148,710 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
163,08 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF400R12KE3HOSA1
Tilauskoodi2726138
Tuotevalikoima62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFF400R12KE3, SP000100781
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current580A
Continuous Collector Current580A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd2kW
Power Dissipation2kW
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
FF400R12KE3HOSA1 is a 62mm 1200V, 400A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and emitter controlled high-efficiency diode.
- Superior solution for frequency controlled inverter drives
- UL/CSA certification with UL1557 E83336
- Operating temperature up to 125°C (max 150°C)
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility and highest reliability
- Optimal electrical performance
- 1200V collector-emitter voltage at Tvj = 25°C
- 580A continuous DC collector current at TC = 25°C, Tvj max = 150°C
- 2000W total power dissipation at TC = 25°C, Tvj max = 150
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
2kW
Operating Temperature Max
125°C
Junction Temperature Tj Max
125°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
2kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle FF400R12KE3HOSA1
2 tuotetta löydetty
Liitännäistuotteet
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000337
Tuotteen jäljitettävyys