Tulosta sivu
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Tilauskoodi4694663
TuotevalikoimaEasyPACK Series
Vaihtoehtoinen nimiFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Tekninen tuotetietolomake
11 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 542,890 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
542,89 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Tilauskoodi4694663
TuotevalikoimaEasyPACK Series
Vaihtoehtoinen nimiFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id275A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins52Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC. Potential applications include energy storage systems (ESS), EV charging, UPS systems, and solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low switching losses, high current density
- High current pin, PressFIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, integrated NTC temperature sensor
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 275A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 640A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 2.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 320A
- Total gate charge is 1.56 µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
275A
Drain Source On State Resistance
4100µohm
No. of Pins
52Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85365080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys