Tulosta sivu
FF200R17KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
37 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 138,130 € |
| 5+ | 131,470 € |
| 10+ | 124,810 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
138,13 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroFF200R17KE3HOSA1
Tilauskoodi2726125
Tuotevalikoima62mm C
Vaihtoehtoinen nimiFF200R17KE3, SP000100775
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current310A
Continuous Collector Current310A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
- 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled³ diode
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000337
Tuotteen jäljitettävyys