Tulosta sivu
F415MR12W2M1B76BOMA1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF415MR12W2M1B76BOMA1
Tilauskoodi3773230
TuotevalikoimaEasyPACK CoolSiC Trench
Vaihtoehtoinen nimiSP005411640, F4-15MR12W2M1_B76
Tekninen tuotetietolomake
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF415MR12W2M1B76BOMA1
Tilauskoodi3773230
TuotevalikoimaEasyPACK CoolSiC Trench
Vaihtoehtoinen nimiSP005411640, F4-15MR12W2M1_B76
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeQuad N Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK CoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK CoolSiC Trench
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.453592
Tuotteen jäljitettävyys