Tulosta sivu
F411MR12W3M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF411MR12W3M1HB11BPSA1
Tilauskoodi4694659
TuotevalikoimaEasyPACK Series
Vaihtoehtoinen nimiF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Tekninen tuotetietolomake
12 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 176,450 € |
| 5+ | 163,410 € |
| 10+ | 150,370 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
176,45 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF411MR12W3M1HB11BPSA1
Tilauskoodi4694659
TuotevalikoimaEasyPACK Series
Vaihtoehtoinen nimiF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins50Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
F411MR12W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 75A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 95°C
- Repetitive peak drain current is 150A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 10.8mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 75A
- Total gate charge is 0.223µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.045µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
50Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys