Tulosta sivu
F3L75R07W2E3B11BOMA1
IGBT Module, EasyPACK 2B, Three level Inverter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF3L75R07W2E3B11BOMA1
Tilauskoodi2709963
Vaihtoehtoinen nimiF3L75R07W2E3_B11, SP000638558
Tekninen tuotetietolomake
15 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 49,090 € |
| 5+ | 44,160 € |
| 10+ | 39,230 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
49,09 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF3L75R07W2E3B11BOMA1
Tilauskoodi2709963
Vaihtoehtoinen nimiF3L75R07W2E3_B11, SP000638558
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationThree level Inverter
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Three level Inverter
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
250W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00443