Tulosta sivu
F3L25R12W1T4B27BOMA1
IGBT Module, Three level Inverter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF3L25R12W1T4B27BOMA1
Tilauskoodi3514413
Vaihtoehtoinen nimiF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Tekninen tuotetietolomake
27 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 34,360 € |
| 5+ | 33,290 € |
| 10+ | 32,210 € |
| 50+ | 23,220 € |
| 100+ | 22,760 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
34,36 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroF3L25R12W1T4B27BOMA1
Tilauskoodi3514413
Vaihtoehtoinen nimiF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationThree level Inverter
Transistor PolarityQuad N Channel
DC Collector Current45A
Continuous Collector Current45A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd215W
Power Dissipation215W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins19Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Three level Inverter
DC Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
215W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
19Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Quad N Channel
Continuous Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
215W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.4
Tuotteen jäljitettävyys