Tulosta sivu
EVALPSE1BF12SICTOBO1
Evaluation Board, FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B1, SiC MOSFET
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroEVALPSE1BF12SICTOBO1
Tilauskoodi3500939
Vaihtoehtoinen nimiSP001798382
Osanumerosi
Tekninen tuotetietolomake
2 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 262,280 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
262,28 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroEVALPSE1BF12SICTOBO1
Tilauskoodi3500939
Vaihtoehtoinen nimiSP001798382
Tekninen tuotetietolomake
Silicon ManufacturerInfineon
Silicon Core NumberFF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET Module
Kit ContentsEvaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Evaluation board for CoolSiC™ Easy1B half-bridge modules. This board has the purpose to enable the evaluation of the FF11MR12W1M1_B11 and FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET modules with EiceDRIVER™ 1200V isolated gate driver 1EDI60I12AF. The evaluation board allows the performance of double-pulse measurements as well as functional tests as DC/DC converter. Therefore the board is designed as bidirectional buck-boost converter. Target applications include charger, solar energy systems and UPS.
- Double pulse characterization
- Functional testing of the buck-boost operation using electrical loads at the input or output stage
- Maximum supply voltage of 900V
Tekniset tiedot
Silicon Manufacturer
Infineon
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Silicon Core Number
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Application Sub Type
SiC MOSFET Module
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.25