Tulosta sivu
DF120R12W2H3B27BOMA1
IGBT Module, Three Phase Inverter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroDF120R12W2H3B27BOMA1
Tilauskoodi3816937
TuotevalikoimaEasyPACK 2B
Vaihtoehtoinen nimiSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Tekninen tuotetietolomake
27 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 44,410 € |
| 5+ | 39,970 € |
| 10+ | 28,870 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
44,41 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroDF120R12W2H3B27BOMA1
Tilauskoodi3816937
TuotevalikoimaEasyPACK 2B
Vaihtoehtoinen nimiSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationThree Phase Inverter
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.05V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Power Dissipation180W
Power Dissipation Pd180W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPACK 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Three Phase Inverter
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Power Dissipation Pd
180W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.05V
Power Dissipation
180W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
EasyPACK 2B
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):1.795