Tulosta sivu
BSZ050N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSZ050N03LSGATMA1
Tilauskoodi1775495
Vaihtoehtoinen nimiBSZ050N03LS G, SP000304139
Tekninen tuotetietolomake
19 069 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,390 € |
| 10+ | 0,296 € |
| 100+ | 0,242 € |
| 500+ | 0,213 € |
| 1000+ | 0,192 € |
| 5000+ | 0,184 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
0,39 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSZ050N03LSGATMA1
Tilauskoodi1775495
Vaihtoehtoinen nimiBSZ050N03LS G, SP000304139
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
The BSZ050N03LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Sovellukset
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle BSZ050N03LSGATMA1
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002
Tuotteen jäljitettävyys