Tulosta sivu
BSS139H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSS139H6327XTSA1
Tilauskoodi2432718
Vaihtoehtoinen nimiBSS139 H6327, SP000702610
Tekninen tuotetietolomake
201 694 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,451 € |
| 10+ | 0,260 € |
| 100+ | 0,178 € |
| 500+ | 0,148 € |
| 1000+ | 0,132 € |
| 5000+ | 0,0863 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,26 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSS139H6327XTSA1
Tilauskoodi2432718
Vaihtoehtoinen nimiBSS139 H6327, SP000702610
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance14ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-1.4V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BSS139H6327 is a SIPMOS® N-channel depletion mode Small Signal Transistor with one single component it is possible to realize a simple current regulator. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter and off-line voltage reference.
- dv/dt rated
- Halogen-free
- AEC-Q101 Qualified
Sovellukset
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Communications & Networking
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-1.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.004536