Tulosta sivu
BSC900N20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TDSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC900N20NS3GATMA1
Tilauskoodi2443372
Vaihtoehtoinen nimiBSC900N20NS3 G, SP000781780
Tekninen tuotetietolomake
3 444 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,730 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,889 € |
| 500+ | 0,739 € |
| 1000+ | 0,629 € |
| 5000+ | 0,603 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,73 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC900N20NS3GATMA1
Tilauskoodi2443372
Vaihtoehtoinen nimiBSC900N20NS3 G, SP000781780
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id15.2A
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BSC900N20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Sovellukset
Industrial, Audio, LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15.2A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0003
Tuotteen jäljitettävyys