Tulosta sivu
BSC0911NDATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC0911NDATMA1
Tilauskoodi2480772
Vaihtoehtoinen nimiBSC0911ND, SP000934746
Tekninen tuotetietolomake
4 877 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,220 € |
| 10+ | 0,969 € |
| 100+ | 0,713 € |
| 500+ | 0,605 € |
| 1000+ | 0,561 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,22 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC0911NDATMA1
Tilauskoodi2480772
Vaihtoehtoinen nimiBSC0911ND, SP000934746
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel900µohm
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
900µohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000186
Tuotteen jäljitettävyys