Tulosta sivu
BFS483H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFS483H6327XTSA1
Tilauskoodi2480691
Vaihtoehtoinen nimiBFS 483 H6327, SP000750464
Tekninen tuotetietolomake
57 Varastossa
3 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,553 € |
| 10+ | 0,394 € |
| 100+ | 0,315 € |
| 500+ | 0,283 € |
| 1000+ | 0,277 € |
| 5000+ | 0,263 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,55 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFS483H6327XTSA1
Tilauskoodi2480691
Vaihtoehtoinen nimiBFS 483 H6327, SP000750464
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current65mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Sovellukset
Industrial, Wireless, Power Management
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
65mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000004
Tuotteen jäljitettävyys