Tulosta sivu
BFQ19SH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFQ19SH6327XTSA1
Tilauskoodi2726101
Vaihtoehtoinen nimiBFQ 19S H6327, SP001125294
Tekninen tuotetietolomake
675 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,532 € |
| 10+ | 0,337 € |
| 100+ | 0,276 € |
| 500+ | 0,253 € |
| 1000+ | 0,243 € |
| 5000+ | 0,228 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,53 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFQ19SH6327XTSA1
Tilauskoodi2726101
Vaihtoehtoinen nimiBFQ 19S H6327, SP001125294
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Transition Frequency5.5GHz
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current120mA
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz.
- Qualification report according to AEC-Q101
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
5.5GHz
Continuous Collector Current
120mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-89
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys