Tulosta sivu
BFP620H7764XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFP620H7764XTSA1
Tilauskoodi2480671RL
Vaihtoehtoinen nimiBFP 620 H7764, SP000745302
Tekninen tuotetietolomake
4 579 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,228 € |
| 500+ | 0,217 € |
| 1000+ | 0,208 € |
| 5000+ | 0,188 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
27,80 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBFP620H7764XTSA1
Tilauskoodi2480671RL
Vaihtoehtoinen nimiBFP 620 H7764, SP000745302
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max2.3V
Transition Frequency65GHz
Power Dissipation185mW
Continuous Collector Current80mA
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min110hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BFP 620 H7764 is a low-noise Bipolar RF Transistor provides outstanding performance for a wide range of wireless applications. It is designed based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology. The device is ideal for CDMA and WLAN applications.
- High linearity transistor
- Collector design provides high linearity of 14.5dBm OP1dB for low voltage application
- Maximum stable gain
- Outstanding noise figure
- Halogen-free
Sovellukset
Industrial, RF Communications, Wireless, Power Management
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
65GHz
Continuous Collector Current
80mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
185mW
Transistor Case Style
SOT-343
DC Current Gain hFE Min
110hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000048