Tulosta sivu
BCV61CE6327HTSA1
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBCV61CE6327HTSA1
Tilauskoodi1056514
Vaihtoehtoinen nimiBCV 61C E6327, SP000010887
Tekninen tuotetietolomake
9 346 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,379 € |
| 50+ | 0,238 € |
| 250+ | 0,156 € |
| 1000+ | 0,103 € |
| 5000+ | 0,0923 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
1,90 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBCV61CE6327HTSA1
Tilauskoodi1056514
Vaihtoehtoinen nimiBCV 61C E6327, SP000010887
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN250MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BCV 61C E6327 is a NPN silicon double Bipolar Transistor Array with good thermal coupling and VBE matching.
- To be used as a current mirror
- High current gain
- Low collector-emitter saturation voltage
Sovellukset
Power Management, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
SOT-143
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
250MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle BCV61CE6327HTSA1
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000009
Tuotteen jäljitettävyys