Tulosta sivu
6 000 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Määrä | |
---|---|
1+ | 0,505 € |
10+ | 0,364 € |
100+ | 0,284 € |
500+ | 0,252 € |
1000+ | 0,238 € |
5000+ | 0,225 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,50 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBAR81WH6327XTSA1
Tilauskoodi2480904
TuotevalikoimaBAR81
Vaihtoehtoinen nimiBAR 81W H6327, SP000743450
Tekninen tuotetietolomake
Diode ConfigurationSingle
Resistance @ If1ohm
Reverse Voltage30V
Diode Case StyleSOT-343
No. of Pins4 Pin
Diode Capacitance0.9pF
Forward Current100mA
Operating Temperature Max125°C
Forward Voltage1V
Power Dissipation100mW
Diode MountingSurface Mount
Product RangeBAR81
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BAR 81W H6327 is a Silicon RF Switching Diode with shunt-diode configuration. It is designed for use in shunt configuration in high performance RF switches.
- High shunt signal isolation
- Low shunt insertion loss
- Optimized for short - open transformation using λ/4 lines
- -55 to 125°C Operating temperature range
Sovellukset
RF Communications, Power Management, Industrial
Tekniset tiedot
Diode Configuration
Single
Reverse Voltage
30V
No. of Pins
4 Pin
Forward Current
100mA
Forward Voltage
1V
Diode Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Resistance @ If
1ohm
Diode Case Style
SOT-343
Diode Capacitance
0.9pF
Operating Temperature Max
125°C
Power Dissipation
100mW
Product Range
BAR81
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000048
Tuotteen jäljitettävyys