Tulosta sivu
AIMDQ75R140M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroAIMDQ75R140M1HXUMA1
Tilauskoodi4295101RL
TuotevalikoimaCoolSiC Gen I Series
Vaihtoehtoinen nimiAIMDQ75R140M1H, SP005545100
Tekninen tuotetietolomake
Pakkausvaihtoehdot
450 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,350 € |
| 500+ | 1,900 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
235,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroAIMDQ75R140M1HXUMA1
Tilauskoodi4295101RL
TuotevalikoimaCoolSiC Gen I Series
Vaihtoehtoinen nimiAIMDQ75R140M1H, SP005545100
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.182ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0013
Tuotteen jäljitettävyys