Tulosta sivu
FEMC512GBE-E530
Flash Memory, 3D TLC NAND, 512 GB, 512G x 8bit, eMMC 5.1, FBGA, 100 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaFLEXXON
Valmistajan osanumeroFEMC512GBE-E530
Tilauskoodi4378882
Tuotevalikoima3.3V eMMC NAND Flash Memories
Tekninen tuotetietolomake
11 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 384,140 € |
| 5+ | 376,460 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
384,14 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaFLEXXON
Valmistajan osanumeroFEMC512GBE-E530
Tilauskoodi4378882
Tuotevalikoima3.3V eMMC NAND Flash Memories
Tekninen tuotetietolomake
Flash Memory Type3D TLC NAND
Memory Density512GB
Memory Configuration512G x 8bit
InterfaceseMMC 5.1
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins100Pins
Clock Frequency Max200MHz
Access Time-
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
FEMC512GBE-E530 is an AXO series industrial eMMC 5.1 flash memory. It is fully comply with JEDEC eMMC5.1 standard. It is combined of an embedded flash controller and standard 3D TLC NAND flash memory in one JEDEC standard package. It provides high performance, good reliability and advanced power management. It is suitable for small, low power electronic devices.
- 512GB capacity, VCCQ: 1.8V/3.3V, VCC: 3.3V power system
- Compliant with eMMC specification Ver. 5.1
- High-speed eMMC protocol, clock frequency range from 0 to 200MHz
- Supports three data bus widths: 1 bit (default), 4bits, 8bits
- Supports high speed mode HS400, supports production state awareness
- Supports field firmware update
- Supply voltage (NAND) range from 2.7 to 3.6V, 1.125V/ns min slew rate (with respect to VIH/VIL)
- Clock rise time is 3ns max (CL ≤30pF), clock fall time is 3ns max (CL ≤30pF)
- Output delay time during data transfer is 13.7ns max (CL ≤30 pF)
- 100-ball FBGA package, operation temperature range from -40°C to 85°C
Tekniset tiedot
Flash Memory Type
3D TLC NAND
Memory Configuration
512G x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
200MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Memory Density
512GB
Interfaces
eMMC 5.1
No. of Pins
100Pins
Access Time
-
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423990
US ECCN:5A992.c
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001