Tulosta sivu
DI7A6N10SQ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
3 955 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,441 € |
| 500+ | 0,374 € |
| 1000+ | 0,339 € |
| 5000+ | 0,266 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
49,10 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIOTEC
Valmistajan osanumeroDI7A6N10SQ
Tilauskoodi4555496RL
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
7.6A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000115