Tulosta sivu
ZXTN4004KTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
9 476 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,270 € |
| 500+ | 0,205 € |
| 1000+ | 0,184 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
32,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroZXTN4004KTC
Tilauskoodi3127510RL
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max150V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo150V
DC Collector Current1A
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation3.8W
Power Dissipation Pd3.8W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min60hFE
DC Current Gain hFE60hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
ZXTN4004KTC is a NPN LED driving transistor.
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Power dissipation is 3.8W at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-base breakdown voltage is 150V min at IC = 0.1mA, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 7V min at IE = 0.1mA, TA = +25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 0.25V max at IC = 100mA, IB = 5mA, TA = +25°C
- Base-emitter turn-on voltage is 0.71V typ at IC = 150mA, VCE = 0.25V
- Delay time is 512ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
- Rise time is 426ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
- Storage time is 3413ns typ at VCC = 120V, IC = 150mA, -IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.25V
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
150V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
3.8W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
DC Current Gain hFE
60hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
150V
DC Collector Current
1A
Power Dissipation
3.8W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000379
Tuotteen jäljitettävyys