Tulosta sivu
ZXMN10A11G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 0.35 ohm, SOT-223, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
1 319 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,454 € |
| 500+ | 0,376 € |
| 1000+ | 0,345 € |
| 5000+ | 0,299 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
50,40 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroZXMN10A11G
Tilauskoodi9525726RL
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.8A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.9W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The ZXMN10A11G is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low gate drive
- Low input capacitance
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Sovellukset
Power Management, Motor Drive & Control, Aerospace, Defence, Military, Automotive
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.8A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle ZXMN10A11G
2 tuotetta löydetty
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00012
Tuotteen jäljitettävyys