Tulosta sivu
ZTX653
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 2 A, 1 W, E-Line, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
8 060 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,978 € |
| 10+ | 0,756 € |
| 100+ | 0,516 € |
| 500+ | 0,431 € |
| 1000+ | 0,366 € |
| 5000+ | 0,308 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
0,98 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroZTX653
Tilauskoodi9525580
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation1W
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency175MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tuotteen yleiskatsaus
ZTX653 is a through hole, NPN silicon planar medium power transistor in E-line (TO-92 compatible) package.
- Collector to emitter voltage (Vce) of 100V
- Collector to base voltage of 120V
- Power dissipation (Pd) of 1W
- Continuous collector current of 2A
- Collector to emitter breakdown voltage of 100V
- Collector to emitter saturation voltage Vce(sat) of 500mV at 2A collector current
- Operating temperature range from -55°C to 200°C
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
E-Line
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
1W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
175MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0002