Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
2 607 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
Määrä | |
---|---|
1+ | 1,160 € |
10+ | 0,624 € |
100+ | 0,438 € |
500+ | 0,367 € |
1000+ | 0,345 € |
5000+ | 0,314 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,16 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroZTX603
Tilauskoodi9525904
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd1W
DC Collector Current1A
RF Transistor CaseTO-92
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE2000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
ZTX603 is a NPN silicon planar medium power Darlington transistor.
- Collector-base voltage is 100V
- Collector-emitter voltage is 80V
- Emitter-base voltage is 10V
- Peak pulse current is 4A
- Continuous collector current is 1A
- Power dissipation at Tamb=25°C is 1W
- Transition frequency is 150MHz at IC=100mA, VCE=10V, f=20MHz, Tamb = 25°C
- Input capacitance is 90pF typical at VEB=500mV, f=1MHz, Tamb = 25°C
- E-line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +200°C
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1W
RF Transistor Case
TO-92
DC Current Gain hFE
2000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
1A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000175
Tuotteen jäljitettävyys