Tulosta sivu
MMDT4413-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
4 130 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,400 € |
| 10+ | 0,230 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,118 € |
| 1000+ | 0,0924 € |
| 5000+ | 0,0667 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroMMDT4413-7-F
Tilauskoodi1773646
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN600mA
Continuous Collector Current PNP600mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN250MHz
Transition Frequency PNP200MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The MMDT4413-7-F is a NPN-PNP complementary pair small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications. It has two internally isolated transistors in one package (4401 - NPN and 4403 - PNP).
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
Sovellukset
Aerospace, Defence, Military, Automotive, Power Management, Industrial
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
600mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
200MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
600mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
250MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000006
Tuotteen jäljitettävyys