Tulosta sivu
MMDT2907A-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual PNP, 60 V, 600 mA
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
754 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,305 € |
| 10+ | 0,194 € |
| 100+ | 0,142 € |
| 500+ | 0,106 € |
| 1000+ | 0,0936 € |
| 5000+ | 0,0773 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
1,52 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroMMDT2907A-7-F
Tilauskoodi1773590
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP60V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP600mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP200MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
60V
Continuous Collector Current PNP
600mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
200MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000006
Tuotteen jäljitettävyys