Tulosta sivu
DMP3056L-7
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
6 642 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,539 € |
| 50+ | 0,337 € |
| 100+ | 0,215 € |
| 500+ | 0,162 € |
| 1500+ | 0,145 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,70 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroDMP3056L-7
Tilauskoodi3127362
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation1.38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
DMP3056L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±25V at TA = +25°C
- Drain current is -4.3A at TA = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.38W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 50mohm max at VGS = -10V, ID = -6.0A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00185
Tuotteen jäljitettävyys