Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroDMP10H400SK3-13
Tilauskoodi3127353
Tekninen tuotetietolomake
1 179 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,616 € |
| 10+ | 0,566 € |
| 100+ | 0,279 € |
| 500+ | 0,250 € |
| 1000+ | 0,249 € |
| 5000+ | 0,216 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,62 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroDMP10H400SK3-13
Tilauskoodi3127353
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.24ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
DMP10H400SK3-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters and analogue switches.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Drain-source voltage is -100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -9A at TC = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 42W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 240mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- Maximum body diode forward current is -4A at TA = +25°C
- TO252 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00185
Tuotteen jäljitettävyys