Tulosta sivu
DMP1045U
Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 12 V, 5.2 A, 0.031 ohm, SOT-23, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
3 130 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,290 € |
| 10+ | 0,204 € |
| 100+ | 0,144 € |
| 500+ | 0,119 € |
| 1000+ | 0,105 € |
| 5000+ | 0,0833 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 5
Useita: 5
1,45 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroDMP1045U
Tilauskoodi2061526
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The DMP1045U from Diode Inc is a surface mount, P channel enhancement mode MOSFET in SOT-23 package. This device features low on resistance, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage thus it is ideal for high efficiency power management applications.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- UL recognized
- Drain to source Voltage (Vds) of -12V
- Gate to source voltage (Vgs) of ±8V
- Continuous drain current (Id) of 4.3A at Vgs -2.5V
- Power dissipation (Pd) of 1.3W
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 45mohm at Vgs -1.8V
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle DMP1045U
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000181
Tuotteen jäljitettävyys