Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
1 994 Varastossa
3 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,441 € |
| 50+ | 0,277 € |
| 100+ | 0,174 € |
| 500+ | 0,129 € |
| 1500+ | 0,114 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
2,20 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroDMP1045U-7
Tilauskoodi3127351
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
DMP1045U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) while maintaining superior switching performance, which makes the device ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters and analogue switches.
- Low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -12V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 4A at TA = +25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10μs pulse, duty cycle = 1%) is 40A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 31mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.0A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00185
Tuotteen jäljitettävyys