Tulosta sivu
BC817-25-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroBC817-25-7-F
Tilauskoodi3127233RL
TuotevalikoimaBC817
Tekninen tuotetietolomake
13 494 Varastossa
18 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 500+ | 0,0515 € |
| 1500+ | 0,0418 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 500
Useita: 5
30,75 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaDIODES INC.
Valmistajan osanumeroBC817-25-7-F
Tilauskoodi3127233RL
TuotevalikoimaBC817
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
DC Collector Current500mA
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation310mW
Power Dissipation Pd310mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min160hFE
DC Current Gain hFE160hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBC817
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
BC817-25-7-F is a NPN small signal transistor.
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Ideally suited for automatic insertion
- Epitaxial planar die construction
- For switching and AF amplifier applications
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 50MHz
- Collector-base capacitance is 12pF max at VCB = 10V, f = 1.0MHz, TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -65 to +150°C
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
310mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
DC Current Gain hFE
160hFE
Product Range
BC817
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
45V
DC Collector Current
500mA
Power Dissipation
310mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle BC817-25-7-F
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.004536
Tuotteen jäljitettävyys