Tulosta sivu
ARE6-85C1-0JL00
Infrared Emitter, 855 nm, 25 °, DFN, 1.4 W/Sr
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 32 viikko(a)
| Määrä | |
|---|---|
| 5000+ | 1,410 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5000
Useita: 5000
7 055,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaBROADCOM
Valmistajan osanumeroARE6-85C1-0JL00
Tilauskoodi4060297RL
Tekninen tuotetietolomake
Peak Wavelength855nm
Angle of Half Intensity25°
Diode Case StyleDFN
Radiant Intensity (Ie)1.4W/Sr
Rise Time-
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)1A
Forward Voltage VF Max2V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max120°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
ARE6-85C1-0JL00 is a Broadcom® high-power IR LED with 855nm peak wavelength, appropriate for specific devices, such as infrared illumination, surveillance systems, CCTV, and gesture recognition. Packaged in a 3.45mm × 3.45mm surface-mount platform, together with viewing angles of 50° lens optics options, the high-power IR LED is suitable for a wide variety of applications. The package is compatible with the reflow soldering process. Typical applications include light curtain, infrared illumination for cameras, surveillance systems, machine vision systems and eye tracking systems.
- High power infrared emitting diode
- High radiant intensity, high radiant power
- Low forward voltage
- Typical viewing angle is 50°
- Compatible with industrial reflow soldering process
- 1400mW/sr radiant intensity, Ie
- 780mW radiant flux
- Typical forward voltage of 1.70V
- Operating temperature range from -40 to +120°C
Tekniset tiedot
Peak Wavelength
855nm
Diode Case Style
DFN
Rise Time
-
Forward Current If(AV)
1A
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Angle of Half Intensity
25°
Radiant Intensity (Ie)
1.4W/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
2V
Operating Temperature Max
120°C
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys