Tarvitsetko enemmän?
Määrä | |
---|---|
1+ | 1,700 € |
10+ | 0,993 € |
25+ | 0,968 € |
50+ | 0,942 € |
100+ | 0,917 € |
500+ | 0,787 € |
Tuotetiedot
Tuotteen yleiskatsaus
The 6N137-000E is an Optically Coupled Gate combines a GaAsP light emitting diode and an integrated high gain photo detector. An enable input allows the detector to be strobed. The output of the detector IC is an open collector Schottky-clamped transistor. The internal shield provides a guaranteed common mode transient immunity specification up to 15,000V/μs at Vcm=1000V. This unique design provides maximum ac and dc circuit isolation while achieving TTL compatibility. The optocoupler AC and DC operational parameters are guaranteed from -40 to +85°C allowing trouble-free system performance.
- 10MBd Typical high speed
- LSTTL/TTL compatible
- 5mA Low input current capability
Sovellukset
Signal Processing, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control
Varoitukset
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
1 Channel
10Mbaud
8Pins
No SVHC (23-Jan-2024)
3.75kV
DIP
-
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle 6N137-000E
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Singapore
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
RoHS
RoHS
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus