Tulosta sivu
SLCD-61N8
Photodiode, Planar Chip, 60 °, 1.7 µA, 930 nm, Planar-1
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaADVANCED PHOTONIX
Valmistajan osanumeroSLCD-61N8
Tilauskoodi1218991
Tekninen tuotetietolomake
938 Varastossa
1 066 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,980 € |
| 10+ | 2,610 € |
| 25+ | 2,250 € |
| 50+ | 2,070 € |
| 100+ | 1,900 € |
| 500+ | 1,860 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,98 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaADVANCED PHOTONIX
Valmistajan osanumeroSLCD-61N8
Tilauskoodi1218991
Tekninen tuotetietolomake
No. of Pins1Pins
Diode Case StylePlanar
Wavelength of Peak Sensitivity930nm
Angle of Half Sensitivity ±60°
Dark Current1.7µA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
Tuotteen yleiskatsaus
The SLCD-61N8 is a Silicon Solderable Planar Photodiode features linear short circuit current over a wide range of illumination. This device is widely used for light sensing and power generation because of their stability and high efficiency. This is particularly suited to power conversion applications due to their low internal impedance and relatively high shunt impedances and stability. This device also provides a reliable and inexpensive detector. In the multi-element arrays the cathodes are common to all elements.
- Visible to IR spectral irradiance range
- High reliability
- Oxide passivation
- Linear short circuit current
- Low capacitance, high speed
Sovellukset
Sensing & Instrumentation, Power Management
Tekniset tiedot
No. of Pins
1Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
930nm
Dark Current
1.7µA
Operating Temperature Max
125°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
Planar
Angle of Half Sensitivity ±
60°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002359