Tulosta sivu
TTC5200(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 22 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 3,060 € |
| 10+ | 1,930 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,390 € |
| 1000+ | 1,330 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
3,06 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTTC5200(Q)
Tilauskoodi1901957
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Tuotteen yleiskatsaus
The TTC5200 from Toshiba is a through hole NPN silicon transistor in TO-3P package with high collector voltage. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 230V
- Collector to base voltage of 230V
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (pd) is 150W
- Junction temperature of 150°C
- Current gain of 35 at 7A collector current
- Collector to emitter saturation voltage of 3V
- Collector to emitter breakdown voltage of 230V
Sovellukset
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle TTC5200(Q)
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.015876
Tuotteen jäljitettävyys