Tulosta sivu
ULN2804A
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, DIP, 18 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroULN2804A
Tilauskoodi1094429
Tekninen tuotetietolomake
4 599 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,190 € |
| 10+ | 1,550 € |
| 100+ | 1,370 € |
| 500+ | 1,230 € |
| 1000+ | 1,180 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,19 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroULN2804A
Tilauskoodi1094429
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Power Dissipation Pd2.25W
DC Collector Current500mA
RF Transistor CaseDIP
No. of Pins18Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The ULN2804A from STMicroelectronics is a through hole eight darlington array in DIP package. Array contains eight darlington transistors with common emitters and integral suppression diodes for inductive loads. Each darlington features peak load current rating of 600mA (500mA continuous) and can withstand at least 50V in the OFF state, 10.5Kohm input resistor for 6V to 15V CMOS are available to simplify interfacing to standard logic families.
- Inputs pinned opposite to outputs to simplify board layout
- Outputs may be paralleled for higher current capability
- Integral suppression diodes
- Output voltage of 50V
- DC current gain (hFE) of 1000
- Operating ambient temperature range from -20°C to 85°C
- Power dissipation (Pd) is 2.25W
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
2.25W
RF Transistor Case
DIP
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
DC Collector Current
500mA
No. of Pins
18Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle ULN2804A
2 tuotetta löydetty
Liitännäistuotteet
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.018144