Tulosta sivu
FQP19N20C
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFQP19N20C
Tilauskoodi2453438
TuotevalikoimaQFET Series
Tekninen tuotetietolomake
1 787 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,320 € |
| 10+ | 1,050 € |
| 100+ | 0,882 € |
| 500+ | 0,745 € |
| 1000+ | 0,686 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,32 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFQP19N20C
Tilauskoodi2453438
TuotevalikoimaQFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation139W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET Series
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
The FQP19N20C is a 200V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (typical 40.5nC)
- Low Crss (typical 85pF)
- 100% avalanche tested
- ±30V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.9°C/W thermal resistance, junction to case
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET Series
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002815
Tuotteen jäljitettävyys