Tulosta sivu
2N6039G.
Darlington Transistor, NPN, 80 V, 1.5 W, 4 A, TO-225, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumero2N6039G.
Tilauskoodi2727919
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd1.5W
DC Collector Current4A
RF Transistor CaseTO-225
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1.5W
RF Transistor Case
TO-225
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
4A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (4)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0003