Tulosta sivu
2N3904TF
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
14 779 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,214 € |
| 10+ | 0,117 € |
| 100+ | 0,0923 € |
| 500+ | 0,0749 € |
| 1000+ | 0,0593 € |
| 5000+ | 0,0438 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 5
Useita: 5
1,07 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumero2N3904TF
Tilauskoodi2453312
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
2N3904TF is a NPN general purpose amplifier. This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100mA as a switch and to 100MHz as an amplifier.
- 40V minimum collector-emitter breakdown voltage T IC = 1.0mA, IB = 0
- 60V minimum collector-base breakdown voltage at IC = 10μA, IE = 0
- 6V minimum emitter-base breakdown voltage at IE = 10μA, IC = 0
- TO-92 3L package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 50nA maximum base cut-off current at VCE = 30V, VEB = 3V
- 50nA maximum collector cut-off current at VCE = 30V, VEB = 3V
- 300 max DC current gain at C = 10mA, VCE = 1.0V
- 5.0dB maximum noise figure at IC = 100μA, VCE = 5.0V, RS = 1Kohm, f = 10Hz to 15.7KHz
- 35ns max rose time and delay time at VCC = 3.0V, VBE = 0.5V, IC = 10mA, IB1 = 1.0mA
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle 2N3904TF
7 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00024
Tuotteen jäljitettävyys