Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT46H16M32LFB5-6 AIT:C
Tilauskoodi3677186
Tekninen tuotetietolomake
812 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
Määrä | |
---|---|
1+ | 5,590 € |
10+ | 5,200 € |
25+ | 5,040 € |
50+ | 4,920 € |
100+ | 4,800 € |
250+ | 4,650 € |
500+ | 4,530 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
5,59 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT46H16M32LFB5-6 AIT:C
Tilauskoodi3677186
Tekninen tuotetietolomake
DRAM TypeMobile LPDDR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration16M x 32bit
Clock Frequency Max166MHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins90Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tuotteen yleiskatsaus
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C is a mobile LPDDR SDRAM. The 512Mb mobile low-power DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 536,870,912 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. Each of the x16’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 1024 columns by 16 bits. Each of the x32’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 512 columns by 32 bits.
- 1.8/1.8V operating voltage, differential clock inputs (CK and CK#)
- Bidirectional data strobe per byte of data (DQS)
- Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle
- Commands entered on each positive CK edge, clock stop capability
- DQS edge-aligned with data for READs; centre aligned with data for WRITEs
- 4 internal banks for concurrent operation, data masks (DM) for masking write data; one mask per byte
- Programmable burst lengths (BL): 2, 4, 8, or 16, concurrent auto precharge option is supported
- Auto refresh and self refresh modes, 1.8V LVCMOS-compatible inputs
- 166MHz clock rate, 6.0ns access time, 16 Meg x 32 configuration, JEDEC-standard addressing
- 90-ball (8mm x 13mm) VFBGA package, -40°C to +85°C automotive operating temperature range
Tekniset tiedot
DRAM Type
Mobile LPDDR
Memory Configuration
16M x 32bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
166MHz
No. of Pins
90Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Singapore
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Singapore
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001263
Tuotteen jäljitettävyys