11A Gallium Nitride (GaN) FETs | Farnell Suomi

Löydä valtava valikoima 11A Gallium Nitride (GaN) FETs -tuotteita myymälästä Farnell Suomi. Meillä on laaja valikoima Gallium Nitride (GaN) FETs, kuten 31A, 29A, 38A & 13A Gallium Nitride (GaN) FETs maailman parhailta valmistajilta, mukaan lukien: Infineon & Rohm.

Sovelletut suodattimet

Continuous Drain Current Id

:

11A

1 Valitut suodattimet

Vertaa					Hinta		Määrä

	GS0650111LMRXUSA1	4715954 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.19 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Yksittäispakkaus	1+ 5,080 € 10+ 4,270 € 100+ 3,630 € 500+ 3,270 € 1000+ 2,890 €	Minuuttia: 1 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.19ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
	GS0650112LMRXUSA1	4715955 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.195 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Yksittäispakkaus	1+ 5,320 € 10+ 4,470 € 100+ 3,800 € 500+ 3,420 € 1000+ 3,030 €	Minuuttia: 1 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.195ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
	GS0650111LTRXUMA1	4715908 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.19 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Yksittäispakkaus	1+ 4,990 € 10+ 4,190 € 100+ 3,570 € 500+ 3,210 € 1000+ 2,840 €	Minuuttia: 1 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.19ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
	GS0650112LTRXUMA1	4715909 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.195 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Yksittäispakkaus	1+ 5,230 € 10+ 4,390 € 100+ 3,740 € 500+ 3,370 € 1000+ 2,980 €	Minuuttia: 1 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.195ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
	GNP1150TCA-ZE2	4179927 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ROHM Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.15 ohm 2.7 nC DFN8080AK Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Yksittäispakkaus	1+ 5,360 € 10+ 3,900 € 100+ 2,810 € 500+ 2,570 € 1000+ 2,520 €	Minuuttia: 1 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.15ohm	2.7nC	DFN8080AK	Surface Mount	8Pins	EcoGaN Series
	GNP1150TCA-ZE2	4179927RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ROHM Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 11 A 0.15 ohm 2.7 nC DFN8080AK Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) Uusiokelaus Pakkausvaihtoehdot	100+ 2,810 € 500+ 2,570 € 1000+ 2,520 €	Minuuttia: 100 / Kerrotaan: 1	650V	11A	0.15ohm	2.7nC	DFN8080AK	Surface Mount	8Pins	EcoGaN Series

Kohteita per sivu:

1-6 / 6 kohteita

/ 1 sivua

johtavaa valmistajaa

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

ONSEMI

onsemi EliteSiC - 650V to 1700V - Now in stock

onsemi EliteSiC - 650V to 1700V - Now in stock

ONSEMI

Low Noise PrestoMOS™ - High Speed Trr Series

Low Noise PrestoMOS™ - High Speed Trr Series

ROHM